वैक्यूम सिल्वर प्लेटिंग प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि के लाभ हैं

वैक्यूम सिल्वर प्लेटिंग प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि के लाभ हैं

प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि का नुकसान यह है कि हीटिंग द्वारा पहुंचा जा सकने वाला अधिकतम तापमान सीमित है, और हीटर का जीवन भी छोटा है। हाल के वर्षों में, प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत के जीवन को बेहतर बनाने के लिए, देश और विदेश में वैक्यूम कोटिंग उपकरण कारखानों ने वाष्पीकरण स्रोत के रूप में लंबे जीवन के साथ बोरॉन नाइट्राइड द्वारा संश्लेषित प्रवाहकीय सिरेमिक सामग्री का उपयोग किया है। एक जापानी पेटेंट रिपोर्ट के अनुसार, यह 20 प्रतिशत से 30 प्रतिशत बोरॉन नाइट्राइड और एक दुर्दम्य सामग्री से बनी सामग्री का उपयोग कर सकता है जिसे वाष्पीकरण स्रोत (क्रूसिबल) बनाने के लिए इसके साथ जोड़ा जा सकता है, और इसकी सतह को 62 की परत के साथ कवर किया जा सकता है। प्रतिशत से 82 प्रतिशत ज़िरकोनियम, और शेष ज़िरकोनियम-सिलिकॉन मिश्र धातु सामग्री है।

वैक्यूम सिल्वर प्लेटिंग के लिए वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि का विवरण

तथाकथित प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि में वाष्पीकरण स्रोत का उचित आकार बनाने के लिए टैंटलम, मोलिब्डेनम, टंगस्टन इत्यादि जैसे उच्च पिघलने बिंदु धातुओं का उपयोग करना है, उस पर वाष्पित होने वाली सामग्री डालें, हवा को प्रवाहित करें के माध्यम से, और वाष्पीकरण सामग्री को सीधे गर्म करें और वाष्पित करें, या सामग्री को वाष्पित करने के लिए रखें। अप्रत्यक्ष ताप वाष्पीकरण के लिए वाष्पीकरण सामग्री को एल्यूमिना, बेरिलियम ऑक्साइड और अन्य क्रूसिबल में डाला जाता है। यह प्रतिरोध ताप वाष्पीकरण विधि है।

वैक्यूम सिल्वर प्लेटिंग प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि में सरल संरचना और कम लागत होती है

वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग मशीन जो गर्मी और वाष्पीकरण के लिए प्रतिरोध हीटर का उपयोग करती है, में सरल संरचना, कम लागत और विश्वसनीय उपयोग के फायदे हैं। चीन में, अब तक, एल्युमिनाइज्ड दर्पणों के उत्पादन में, प्रतिरोध ताप वाष्पीकरण की बड़ी संख्या में कोटिंग प्रक्रियाओं को अभी भी उपयोग में लाया जाता है।

वैक्यूम सिल्वर प्लेटिंग प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि

प्रतिरोध वाष्पीकरण स्रोत वाष्पीकरण विधि एक बुनियादी वैक्यूम वाष्पीकरण उपकरण कोटिंग विधि है। "वाष्पीकरण" से तात्पर्य कोटिंग सामग्री को गर्म करने और वाष्पित करके एक निर्वात कक्ष में एक पतली फिल्म में बनाने से है, ताकि सामग्री के परमाणु या अणु सतह से वाष्पीकृत हो जाएं और यह वाष्प प्रवाह घटना बनाने के लिए बच जाए, जो घटना है सब्सट्रेट या सब्सट्रेट की सतह पर, और अंत में एक ठोस फिल्म तैयार करने की विधि बनाने के लिए संघनित होता है।

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